产品名称：N沟道150V（D-S）MOSFET
产品型号：ME12N15/ME12N15-G
代理品牌： Matsuki松木
产品封装：TO-252-3L
交期时间：现货一般当天发货，预订交期：6-8周
发货货仓：深圳/香港
热门标签：ME12N15-G规格书，ME12N15-G替代
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松木ME12N15-G N沟道150V（D-S）MOSFET
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产品概况
产品特点
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说明：
ME12N15是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺是专门为最小化导通电阻而定制的。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电电路，在这些电路中，在非常小的外形表面安装封装中需要高侧开关和低在线功耗。
特征：
在VGS=10V时，RDS（ON）≤150mΩ
在VGS=10V时，RDS（ON）≤250mΩ
超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用：
电源管理
DC/DC转换器
负载开关
